| 发明名称 | ZnO系半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。 | ||
| 申请公布号 | CN101473454A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200780021185.2 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原健;汤地洋行;田村谦太郎;赤坂俊辅;川崎雅司;塚崎敦;大友明 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种ZnO系半导体元件，其特征在于，在主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x<1)基板上，c轴至少向m轴方向倾斜Φm度，所述Φm满足0<Φm≤3的条件，且在所述主面形成有ZnO系半导体层。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||