| 发明名称 | 适用于覆晶封装的发光二极管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管可使用覆晶封装结构。包含：提供一发光二极管结构，形成一导体强化层在该发光二极管结构上，并且与该发光二极管结构的p极接触与n极接触电性地连接；形成一凸块区域定义层在该导体强化层上，其中该凸块区域定义层之间有两个电极区域；形成两个凸块垫在该两个电极区域上，且与该导体强化层电性地连接；移除该凸块区域定义层；以及选择性移除暴露的该导体强化层，使得该两凸块垫之间电性地隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN100508226C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200610082598.9 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 洲磊科技股份有限公司 | 发明人 | 吴伯仁;吴美慧;陈建安;张源孝 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 田 野 |
| 主权项 | 1. 一种封装发光二极管的方法，包含：提供一发光二极管结构；形成一暂时层在该发光二极管结构上；形成一导体强化层在该暂时层上，并且与该发光二极管结构的p极接触与n极接触电性地连接；形成一凸块区域定义层在该导体强化层上，其中该凸块区域定义层之间有两个电极区域；形成两个凸块垫在该两个电极区域上，且与该导体强化层电性地连接；移除该凸块区域定义层；以及选择性移除暴露的该导体强化层，使得该两凸块垫之间电性地隔离。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||