| 发明名称 | 单晶电熔氧化铝晶粒控制装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于：所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体外围设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。 | ||
| 申请公布号 | CN201265052Y | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200820145769.2 | 申请日期 | 2008.10.07 |
| 申请人 | 福建三祥工业新材料有限公司 | 发明人 | 叶旦旺 |
| 分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C04B35/657(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 1、一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装氧化铝熔体的模体，其特征在于：所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。 | ||
| 地址 | 355500福建省宁德市寿宁县城关解放街292号 | ||