发明名称 |
具有屏蔽效应的存储器 |
摘要 |
一种具有屏蔽效应的半导体存储器,至少包括多条字线、接地线控制单元及多个存储单位。各存储单位包括主位线、接地线、第一等效开关及第二等效开关。主位线由一控制信号而致能。接地线与接地线控制单元电连接。第一等效开关与主位线及接地线连接,并受控于前一存储单位的控制信号。第二等效开关与主位线及后一存储单位的接地线连接,并受控于后一存储单位的控制信号。 |
申请公布号 |
CN100508071C |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN03142445.7 |
申请日期 |
2003.06.12 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
李文杰;陈张庭 |
分类号 |
G11C17/00(2006.01)I;G11C17/12(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王志森;黄小临 |
主权项 |
1. 一种具有屏蔽效应的半导体存储器,至少包括:多条字线,各该字线平行排列;一接地线控制单元;以及多个存储单位,各该存储单位包括:一主位线,与这些字线交错垂直排列,由一控制信号而致能;一接地线,与该接地线控制单元电连接,并与该主位线平行排列;一第一等效开关;及一第二等效开关;其中,这些存储单位中的该第n存储单位的该第一等效开关与该第n存储单位的该主位线及该第n存储单位的该接地线连接,并受控于该第(n-1)存储单位的该控制信号;其中,这些存储单位中的该第n存储单位的该第二等效开关与该第n存储单位的该主位线及该第(n+1)存储单位的该接地线连接,并受控于该第(n+1)存储单位的该控制信号;其中,n为正整数。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |