半导体装置

摘要

本发明的课题是实现高可靠动作的相变存储器。本发明的半导体装置具有层叠了由使用硫族化合物材料的存储层和二极管构成的存储单元的结构的存储器阵列，根据所选择的存储单元所处的层变更初始化条件和改写条件。在根据动作选择电流镜电路的同时，利用电压选择电路和电流镜电路中的复位电流的控制机构，根据动作变更初始化条件和改写条件(在此是复位条件)。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于：具有：第1存储单元，设置在第1层中，具有利用电流写入存储信息的第1存储元件；第2存储单元，设置在形成于上述第1层的上方的第2层中，具有利用电流写入存储信息的第2存储元件；第1地址解码器，用于输出用来选择上述第1层的第1层选择信号或用来选择上述第2层的第2层选择信号；以及改写驱动器，用于在对上述第1存储单元写入第1存储信息时对上述第1存储单元供给第1电流、在对上述第2存储单元写入上述第1存储信息时对上述第2存储单元供给与上述第1电流不同的大小的第2电流，上述改写驱动器根据上述第1层选择信号和上述第2层选择信号控制上述第1电流和上述第2电流的大小。