| 发明名称 | 利用硅001晶面制备GaN基LED的图形衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用硅(001)制备GaN基LED的图形衬底的方法，包括以下步骤：A1：在硅(001)上制备具有图形开孔的掩膜；A2：将步骤A1得到的硅(001)放入到具有各向异性蚀刻特性的腐蚀溶液中，制备出具有图形的硅片，该硅片具有硅(111)晶面；A3：剥离步骤A2得到的硅片上的掩膜，得到GaN基LED的图形衬底。在硅(001)衬底上腐蚀出具有一定倾角的Si(111)面，从而可以在Si(111)面外延生长GaN基LED，工艺简单，制备的倒金子塔形衬底能有效释放外延层中的应力，提高外延层结晶品质；具有低缺陷密度、工艺简单、成本低、质量好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101471402A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710186126.2 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 深圳市方大国科光电技术有限公司 | 发明人 | 谢建春 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭伟刚;林俭良 |
| 主权项 | 1、一种利用硅(001)制备GaN基LED的图形衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：A1：在硅(001)上制备具有图形开孔的掩膜；A2：将步骤A1得到的硅(001)放入到具有各向异性蚀刻特性的腐蚀溶液中，制备出具有图形的硅片，该硅片具有硅(111)晶面；A3：剥离步骤A2得到的硅片上的掩膜，得到GaN基LED的图形衬底。 | ||
| 地址 | 518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城 | ||