发明名称 制造反向T型浮动闸极记忆体之方法
摘要 本发明系揭露一种具有非矩型横截面浮动闸极之记忆装置。该非矩型横截面可为一反向T型、一U型、一梯型或一双反向T型。本发明亦揭露用来制造一浮动闸极记忆装置之方法,因为增加该浮动闸极表面积,而使该浮动闸极记忆装置具有一较高的耦合率。该记忆装置具有一横截面形状之浮动闸极,像是一反向T型,如此使得具有一顶轮廓为一非平坦的区段。
申请公布号 TW200929447 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW096148274 申请日期 2007.12.17
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 赖二琨;施彦豪;薛铭祥
分类号 H01L21/8247(2006.01) 主分类号 H01L21/8247(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号