发明名称 | 制造反向T型浮动闸极记忆体之方法 | ||
摘要 | 本发明系揭露一种具有非矩型横截面浮动闸极之记忆装置。该非矩型横截面可为一反向T型、一U型、一梯型或一双反向T型。本发明亦揭露用来制造一浮动闸极记忆装置之方法,因为增加该浮动闸极表面积,而使该浮动闸极记忆装置具有一较高的耦合率。该记忆装置具有一横截面形状之浮动闸极,像是一反向T型,如此使得具有一顶轮廓为一非平坦的区段。 | ||
申请公布号 | TW200929447 | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | TW096148274 | 申请日期 | 2007.12.17 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;施彦豪;薛铭祥 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |