发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置及其制造方法,半导体装置包含一第一装置、形成于第一装置上之一磊晶矽层、形成于磊晶矽层上之一第二装置以及贯穿磊晶矽层之一连接孔,以令第一装置与第二装置电性连接。一种半导体装置之制造方法,其步骤包括有形成一第一装置、形成一磊晶矽层于第一装置上、形成贯穿磊晶矽层的一连接孔以及形成位于磊晶矽层上的一第二装置,使第二装置电性连接于连接孔。
申请公布号 TW200929511 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097146453 申请日期 2008.11.28
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 金相 KIM, SANG CHUL
分类号 H01L25/04(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L25/04(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩