| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以实现提高了多数载流子的迁移率的SBSI器件的半导体装置的制造方法及半导体装置。该制造方法包含：在Si基板(1)上形成SiGe层的工序、在SiGe上形成Si层(5)的工序、对Si层(5)及SiGe层进行蚀刻而形成贯通Si层(5)及SiGe层的支承体孔的工序、在支承体孔形成支承体(11、12)的工序、对上述Si层(5)进行蚀刻而形成使SiGe层露出的槽(H1、H2)的工序、通过经由槽(H1、H2)对SiGe层进行蚀刻而在Si层(5)和Si基板之间形成空洞部的工序、在空洞部形成SiO<sub>2</sub>膜(23)的工序、在槽(H1、H2)内形成具有拉伸应力的埋入膜(31)的工序。支承体(11)使用具有拉伸应力的绝缘膜，支承体(12)使用具有压缩应力的绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101471247A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810184717.0 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 松泽勇介 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成第二半导体层的工序；对所述第二半导体层及所述第一半导体层进行蚀刻，形成贯通所述第二半导体层及所述第一半导体层的第一槽的工序；在所述第一槽形成具有拉伸应力的第一支承体的工序；对所述第二半导体层进行蚀刻，形成使所述第一半导体层露出的第二槽的工序；经由所述第二槽对所述第一半导体层进行蚀刻，由此在所述第二半导体层和所述半导体基板之间形成空洞部的工序；在所述空洞部形成绝缘膜的工序；在所述第二槽形成具有拉伸应力的埋入膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||