| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器制造方法可以包括：在半导体衬底上方形成硬质掩膜图样以覆盖光电二极管区；通过使用硬质掩膜在半导体衬底中湿蚀刻光电二极管区来形成凸面光电二极管；去除硬质掩膜图样；在光电二极管上方形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上方形成与光电二极管对准的颜色过滤层；以及在颜色过滤层上方形成微透镜。与相关技术相比，由于单位表面区域的增加，所得到的图像传感器可以转换更多的光量，这使得光学效率性能的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101471296A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810161811.4 | 申请日期 | 2008.09.24 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金大荣 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种方法，包括：在半导体衬底上方形成硬质掩膜以覆盖光电二极管区；通过使用所述硬质掩膜图样在所述半导体衬底中湿蚀刻所述光电二极管区来形成凸面光电二极管；去除所述硬质掩膜图样；在所述光电二极管上方形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上方形成与所述光电二极管对准的颜色过滤层；以及在所述颜色过滤层上方形成微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||