LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开一种LED芯片及其制备方法，ICP刻蚀后的芯片周围一圈侧面向内倾斜，呈倒台形。LED芯片的制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构外延片；GaN外延片在N₂气氛高温退火；用溶剂将GaN外延片表面清洗干净；在GaN外延片上光刻出图形；在光刻后的GaN外延片上蒸镀Cr/Ni掩膜层；用溶剂将光刻胶去除干净；接着用ICP将外延片刻蚀到n-GaN层，并使刻蚀后的芯片侧面向内倾斜呈内倒台形，其中ICP刻蚀条件为ICP功率为1500W-2000W、RF功率为20W-40W、腔体压力为40-80mTorr、刻蚀气体流量比Cl₂∶Cl₃＝3～6∶1。

主权项

1、一种LED芯片，其特征在于，ICP刻蚀后的芯片周围所有侧面向内倾斜，呈倒台形。