6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法

摘要

本发明公开了一种6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法。本方法是使用工艺步骤为HCL原位抛光—第一次大流量的H₂赶气—降温—生长本征层—第二次大流量的H₂赶气—生长剩余厚度的外延层的工艺方法，第一次大流量的H₂赶气的时间为25～30分钟，第二次大流量的H₂赶气的时间为5～10分钟。经过多次试验发现：本发明所述的是最佳的赶气时间，能有效控制自掺杂，提高外延片电阻率边缘均匀性。用本发明方法制得的外延片的扩展电阻的平坦度和过渡区的陡峭度都用比传统的方法获得的外延片的要理想。

主权项

1、6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法，包括工艺步骤为HCL原位抛光——第一次大流量的H2赶气——降温——生长本征层——第二次大流量的H2赶气-生长剩余厚度的外延层的工艺方法，其特征在于：第一次大流量的H2赶气的时间为25～30分钟，第二次大流量的H2赶气的时间为5～10分钟。