| 摘要 |
一种平均磨损方法，其用于多层记忆胞（Multi Level Cell,MLC）反及（NAND）快闪记忆体。上述记忆体包括具有多个区块的第一区域与具有多个区块的第二区域，且第一与第二区域的区块分别包括上页与下页。此平均磨损方法包括使用不同的启动条件来分别判断在MLC NAND快闪记忆体的第一区域与第二区域中是否启动平均抹除程序的交换区块运作；以及分别在第一与第二区域中进行交换区块运作，其中第一区域的区块是仅使用下页来存取，并且第二区域的区块是同时使用下页与上页来存取。因此，可有效地延长快闪记忆体的寿命同时避免系统资源的无谓浪费。 |
