发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器可包括:光电二极管,形成在半导体衬底上方;层间电介质,可包括位于晶体管区中的多条金属线,可形成在半导体衬底上方,其包括波导电介质,用于在光电二极管区中引导入射光;折射层,可形成在层间电介质中的波导电介质的底部;滤色镜,可形成在层间电介质的上表面上方;覆盖膜,可形成在滤色镜上方;微透镜,可形成在层间电介质上方。由此,能在波导底部有效抑制高反射率,同时确保该波导针对非垂直入射光的反射率。 |
申请公布号 |
CN101471297A |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200810169801.5 |
申请日期 |
2008.10.07 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
尹盈提 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
1、一种方法,包括如下步骤:在半导体衬底上方形成光电二极管;在上面具有所述光电二极管的所述半导体衬底上方形成层间电介质;在所述层间电介质的上部中形成用作波导的沟槽;在所述沟槽的底部表面上方形成折射层;形成波导电介质以填充所述沟槽;在所述波导电介质上方形成微透镜。 |
地址 |
韩国首尔 |