发明名称 图像传感器及其制造方法
摘要 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器可包括:光电二极管,形成在半导体衬底上方;层间电介质,可包括位于晶体管区中的多条金属线,可形成在半导体衬底上方,其包括波导电介质,用于在光电二极管区中引导入射光;折射层,可形成在层间电介质中的波导电介质的底部;滤色镜,可形成在层间电介质的上表面上方;覆盖膜,可形成在滤色镜上方;微透镜,可形成在层间电介质上方。由此,能在波导底部有效抑制高反射率,同时确保该波导针对非垂直入射光的反射率。
申请公布号 CN101471297A 申请公布日期 2009.07.01
申请号 CN200810169801.5 申请日期 2008.10.07
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 尹盈提
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 郑小军;冯志云
主权项 1、一种方法,包括如下步骤:在半导体衬底上方形成光电二极管;在上面具有所述光电二极管的所述半导体衬底上方形成层间电介质;在所述层间电介质的上部中形成用作波导的沟槽;在所述沟槽的底部表面上方形成折射层;形成波导电介质以填充所述沟槽;在所述波导电介质上方形成微透镜。
地址 韩国首尔