| 发明名称 | 形成介电膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101471256A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810190696.3 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 佳能株式会社;佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 北野尚武;福地祐介;铃木伸昌;北川英夫 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨国权 |
| 主权项 | 1、一种在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法，该方法包括：第一步，使硅衬底的表面氧化以形成硅氧化物膜；第二步，在非氧化气氛中在硅氧化物膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到硅氧化物膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的硅氧化物膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||