发明名称 |
填充型亚波长导模共振滤光片的制备方法 |
摘要 |
填充型亚波长导模共振滤光片的制备方法,首先在石英基片上采用掩模光刻和反应离子束蚀刻的方法制作初始的空气填充型亚波长光栅,然后以它为基片进行镀膜和刻蚀,其特点是:a)用物理真空沉积方法镀膜,膜的材料为光栅槽里待填充的材料,膜的厚度为亚波长光栅槽深的2倍;b)用反应离子束刻蚀镀膜后的亚波长光栅,光栅槽脊上的材料刻蚀厚度为亚波长光栅槽深的2倍且光栅槽沟上的材料刻蚀厚度为亚波长光栅槽深的1倍。本发明要在纳米尺度的光栅槽内填充厚度精确到纳米量级的材料,无疑是该类滤光片中制备难度最大的一种。本发明结合镀膜技术和蚀刻技术,提供一种实际可行的刻蚀制备方法,可以方便地制备出填充型亚波长导模共振滤光片。 |
申请公布号 |
CN100507616C |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200710171361.2 |
申请日期 |
2007.11.29 |
申请人 |
上海理工大学 |
发明人 |
张大伟;黄元申;倪争技;庄松林 |
分类号 |
G02B5/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 |
代理人 |
宁芝华 |
主权项 |
1. 填充型亚波长导模共振滤光片的制备方法,首先在石英基片上采用掩模光刻和反应离子束蚀刻的方法制作初始的空气填充型亚波长光栅,然后以亚波长光栅为基片进行镀膜和刻蚀,其特征在于:A)用物理真空沉积方法镀膜,膜的材料为光栅槽里待填充的材料,膜的厚度为亚波长光栅槽深的2倍;B)用反应离子束刻蚀镀膜后的亚波长光栅,光栅槽脊上的材料刻蚀厚度为亚波长光栅槽深的2倍且光栅槽沟上的材料刻蚀厚度为亚波长光栅槽深的1倍。 |
地址 |
200093上海市杨浦区军工路516号 |