非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，首先，提供一基底，此基底具有一存储单元区与一周边电路区，且存储单元区的基底上已形成有多个第一堆栈栅极结构，以及周边电路区的基底上已形成有一堆栈结构。接着，于基底上形成一层导体层，以于第一堆栈栅极结构之间形成多个栅极而形成存储单元列，以及于存储单元列与堆栈结构的侧壁上形成多个导体间隙壁。然后，于基底上形成一层图案化掩模层，其中此图案化掩模层至少覆盖存储单元列与导体间隙壁。之后，将堆栈结构图案化，以于周边电路区形成多个第二堆栈栅极结构。

主权项

1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底，该基底具有一存储单元区与一周边电路区，且该存储单元区的该基底上已形成有多个第一堆栈栅极结构，以及该周边电路区的该基底上已形成有一堆栈结构；于该基底上形成一导体层并进行回蚀刻，以于该些第一堆栈栅极结构之间形成多个栅极而形成一存储单元列，以及于该存储单元列与该堆栈结构的侧壁上形成多个导体间隙壁；于该基底上形成一图案化掩模层，其中该图案化掩模层至少覆盖该存储单元列与该些导体间隙壁；以及图案化该堆栈结构，以于该周边电路区形成多个第二堆栈栅极结构。