| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器可以包括形成于半导体衬底上的介电层，顺序形成于介电层的整个表面上的第一钝化层和第二钝化层，以及顺序形成于第二钝化层上的平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜。该CMOS图像传感器可以进一步包括布置在介电层上以围绕微透镜的多个金属衬垫，在微透镜和金属衬垫之间的介电层上形成的防水层，以及暴露金属衬垫和防水层的第一开口部分和第二开口部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101471356A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810179009.8 | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郑冲耕 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种CMOS图像传感器，包括：介电层，形成于半导体衬底上；第一和第二钝化层，顺序形成于所述介电层的整个表面上；平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜，顺序形成于所述第二钝化层上；多个金属衬垫，布置于所述介电层上以围绕所述微透镜；防水层，形成于所述微透镜和所述金属衬垫之间的所述介电层上；以及第一和第二开口部分，暴露所述金属衬垫和所述防水层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||