发明名称 |
半导体机台的改良机构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种半导体机台的改良机构,包括一制程反应室、一间缝阀、一衬套结构、一基座以及一制程器具。其中,间缝阀位于制程反应室侧壁上,基座以连动方式连接于衬套结构,而制程器具以连动方式连接于基座。其中,制程器具为一文件板结构,其形状对应于间缝阀的形状。当制程开始前,制程器具位于第一位置,间缝阀呈打开状态;当晶圆通过间缝阀传送至制程反应室后,制程器具位于第二位置,而间缝阀呈关闭状态。本实用新型可改善蚀刻的均值效果,提高后续定期维修的时效,且简化蚀刻设备的复杂度并增加机构的可靠度。 |
申请公布号 |
CN201266599Y |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200820130057.3 |
申请日期 |
2008.09.08 |
申请人 |
力鼎精密股份有限公司 |
发明人 |
刘奎江;陈力山;陈英信 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
陈肖梅;谢丽娜 |
主权项 |
1. 一种半导体机台的改良机构,其特征在于,包括:一制程反应室;一间缝阀,位于该制程反应室的侧壁上;一基座,设于该制程反应室中;一衬套结构,连接于该基座;以及一制程器具,设于该制程反应室中,连接于该基座;其中,当制程开始前,一晶圆通过该间缝阀传送至该制程反应室,该制程器具位于一第一位置;当该晶圆通过该间缝阀传送至该制程反应室后,该制程器具位于一第二位置,该制程器具遮盖该间缝阀。 |
地址 |
中国台湾苗栗县 |