发明名称 | 光电转化元件 | ||
摘要 | 本发明提供一种光电转化元件,系具有一第一电极层、一第二电极层、一有机光电转化层及一低能隙半导体光吸收层。该有机光电转化层直接接触该第一电极层,而该低能隙半导体光吸收层置于该有机光电转化层与该第二电极层之间。本发明系藉该低能隙半导体光吸收层以延伸该光电转化元件的吸收光谱至红光区,以增加该元件的光电转化效率。 | ||
申请公布号 | TW200929652 | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | TW096149159 | 申请日期 | 2007.12.21 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 丁兆民;蔡兴旺;陈俊超 |
分类号 | H01L51/44(2006.01) | 主分类号 | H01L51/44(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 郭雨岚;林发立 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |