多晶矽薄膜制造方法、以此制造之多晶矽薄膜及具此之薄膜电晶体

摘要

本发明提出一种利用因一电场施加于一传导层而引发之焦耳（Joule）加热作用所产生的高温热制造多晶矽薄膜的方法，其可确保高温下之处理稳定性，因此可缩减处理时间且可获得具有优异结晶度的多晶矽薄膜；一种运用该方法制造的多晶薄膜及一种包含该多晶矽薄膜的薄膜电晶体。该方法包含提供一基板，在该基板上形成一熔点为1300℃或更高的金属或金属合金层，在该金属或金属合金层上形成一绝缘层，在该绝缘层上形成一非晶矽（a-Si）薄膜、一非晶/多晶复合矽薄膜或一多晶矽薄膜，且向该金属或金属合金层施加一电场以引发焦耳加热作用并产生高温热，且利用该高温热使该非晶矽（a-Si）薄膜、该非晶/多晶复合矽薄膜或该多晶矽薄膜结晶及退火。