非挥发性存储单元及其制造方法以及其操作方法

摘要

一种非挥发性存储单元，包括配置在基底上的一选择栅极，配置在选择栅极的一侧壁上的浮置栅极间隙壁，配置在选择栅极与浮置栅极间隙壁之间的栅间介电层，配置在浮置栅极间隙壁与基底之间的穿隧层，配置在浮置栅极间隙壁侧边的基底中的源极区，配置在选择栅极的另一侧壁的侧边的基底中的漏极区。

主权项

1、一种非挥发性存储单元的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一图案化的掩模层，该图案化的掩模层具有一第一开口以及位于该第一开口侧边的二个第二开口；至少于该第一开口表面形成一穿隧层；于该第一开口侧壁形成一对导体间隙壁；于该对导体间隙壁之间的该基底中形成一源极区；于该第一开口与该些第二开口中填入绝缘层；移除该图案化的掩模层，以于该第一开口与该些第二开口的该绝缘层之间形成一第三开口与一第四开口；于该第三开口与该第四开口表面形成一栅间介电层，以至少覆盖该对导体间隙壁的裸露的部分；于该第三开口与该第四开口中分别填入一导体层；移除该些第二开口中的该绝缘层，而暴露出该导体层的一侧壁；于该导体层暴露的该侧壁形成一绝缘间隙壁；以及于该绝缘间隙壁侧边的该基底中形成一漏极区，其中在于该绝缘间隙壁侧边的该基底中形成该漏极区之后，还包括于该源极区与该漏极区上分别形成一源极接触窗与一漏极接触窗。