| 发明名称 | 制造晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本文披露了一种制造晶体管的方法，该方法能够提高晶体管内的多个区域的匹配特性，或者能够从晶片到晶片或从批到批来提高晶片上的晶体管之间的匹配特性。该方法包括：在包括隔离层的半导体衬底上形成光刻胶图样；使用光刻胶图样作为掩膜通过注入第一掺杂离子和第二掺杂离子来形成漂移区；在半导体衬底上形成栅极氧化层；在栅极氧化层上形成多晶硅栅极；以与多晶硅栅极相隔预定的距离来形成源极区和漏极区；以及在上述结构上形成硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101471263A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810188827.4 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金凤吉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种制造晶体管的方法，包括：在包括隔离层的半导体衬底上形成光刻胶图样；使用所述光刻胶图样作为掩膜，通过注入第一掺杂离子和第二掺杂离子来形成漂移区；在所述半导体衬底上形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层上形成多晶硅栅极；形成与所述多晶硅栅极相隔预定距离的源极区和漏极区；以及在所述多晶硅栅极以及所述源极区和所述漏极区上形成硅化物层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||