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发明名称 SPIN BARRIER ENHANCED DUAL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME
摘要
申请公布号 EP1751764(A4) 申请公布日期 2009.07.01
申请号 EP20050751070 申请日期 2005.05.11
申请人 GRANDIS, INC. 发明人 VALET, THIERRY
分类号 G11C11/00;G11C11/16 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人
主权项
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