由二矽烷前驱物进行之远端电浆化学气相沈积的高品质氧化矽膜

摘要

本发明提供一种在基板上沈积含矽和氮之膜的方法。该方法包括将含矽前驱物引入包含一基板的沈积室中，其中该含矽前驱物包括至少两个矽原子。该方法还包括利用设置在沈积室外部的远端电浆系统产生至少一种自由基氮前驱物。而且，该方法包括将该自由基氮前驱物引入沈积室中，其中该自由基氮和该含矽前驱物反应且在基板上沈积含矽和氮的膜。而且，该方法包括在蒸汽环境中退火该含矽和氮的膜，以形成氧化矽膜，其中蒸汽环境包括水和酸性蒸汽。