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发明名称
三元内容可定址记忆体漏电流截断装置
摘要
一种应用于三元内容可定址记忆体漏电流截断装置。三元内容可定址记忆体之储存记忆胞区分为运转模式、待机模式及截止模式,本发明利用多模式闸极电源控制装置降低三元电晶体可定址记忆体之储存记忆胞在待机模式及截止模式之漏电流并维持运转模式执行效能。
申请公布号
TW200929256
申请公布日期
2009.07.01
申请号
TW096149397
申请日期
2007.12.21
申请人
国立交通大学
发明人
黄柏苍;刘文彦;黄威
分类号
G11C7/24(2006.01)
主分类号
G11C7/24(2006.01)
代理机构
代理人
蔡朝安
主权项
地址
新竹市大学路1001号
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