误差容忍非挥发积体电路记忆体

摘要

本发明揭示设备及方法，例如藉由卷积编码将资料储存于复数个非挥发积体电路记忆体装置(106)中之设备及方法，例如NAND快闪。卷积码(108/110)之一相对高码率系消耗相对少之额外记忆体空间。在一个实施例中，卷积码(108/110)系散布于复数个记忆体装置(106)之部分上，而非集中于一特定记忆体装置之一页内。在一个实施例中，使用一码率m/n，且跨越n个记忆体装置(106)储存卷积码。