发明名称 | 集成电感结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种集成电感结构,其包括半导体基底以及设于半导体基底上方的电感金属层。半导体基底与电感金属层之间设有介电层。于电感金属层正下方的半导体基底中,设有阱防护层,包括多个小区块N型离子阱以及多个小区块P型区域,彼此相间重复排列组合,呈现棋盘状布局。在半导体基底中,设置有环绕着阱防护层的P<sup>+</sup>拾取环。在P<sup>+</sup>拾取环的正上方则设有保护环,其由多层金属层及插塞所构成。 | ||
申请公布号 | CN101471343A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | CN200710305208.4 | 申请日期 | 2007.12.29 |
申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄凯易;叶达勋;简育生 |
分类号 | H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
主权项 | 1. 一种集成电感结构,包括:半导体基底;电感金属层,设于该半导体基底上;至少一介电层,介于该半导体基底与该电感金属层之间;以及阱防护层,设于该电感金属层正下方的该半导体基底中,该阱防护层包括呈棋盘状排列的多个N型掺杂区域以及多个P型掺杂区域。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学园区 |