| 发明名称 | Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法，包括在硅衬底表面外延生长一层AlN种子层、在AlN种子层上再外延生长一层GaN步骤，还包括以下步骤：(1)、外延生长GaN层后，将温度从900～1200℃在200～400sec内快速降温至500～800℃，导致GaN层与AlN种子层龟裂形成裂纹，在裂纹处由于NH3的存在会生成SiN；(2)、原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，并在GaN层上生长零星分布的SiN掩膜层；(3)在具有SiN掩膜的GaN层上同质横向外延生长GaN，直至该GaN层完全生长合并在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN101471245A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710186133.2 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 深圳市方大国科光电技术有限公司 | 发明人 | 王质武 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭伟刚;张秋红 |
| 主权项 | 1、一种Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法，包括在硅衬底表面外延生长一层AlN种子层、在AlN种子层上再外延生长一层GaN步骤，其特征在于，还包括以下步骤：(1)、外延生长GaN层后，将温度从900～1200℃在200～400sec内快速降温至500～800℃，导致GaN层与AlN种子层龟裂形成裂纹，在裂纹处由于NH3的存在会生成SiN；(2)、原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，并在GaN层上生长零星分布的SiN掩膜层；(3)、在具有SiN掩膜的GaN层上同质横向外延生长GaN，直至该GaN层完全生长合并在一起。 | ||
| 地址 | 518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城 | ||