| 发明名称 | 浮动单栅极的非挥发性存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种浮动单栅极的非挥发性存储器及其操作方法，此非挥发性存储器是在半导体衬底内嵌晶体管结构，晶体管包含一浮动单栅极、一介电层与二个位于介电层两侧的半导体衬底内的离子掺杂区。此外，本发明的浮动单栅极的非挥发性存储器的存储单元乃可由逆向偏压进行多次写入、擦除以及读取等操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101471382A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710305589.6 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 亿而得微电子股份有限公司 | 发明人 | 林信章;黄文谦;杨明苍 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种浮动单栅极的非挥发性存储器，其特征在于，其包含有：一半导体衬底；以及一晶体管，其包含有：一介电层，位于该半导体衬底表面；一单浮动栅极，其位于该介电层上；以及二个离子掺杂区，其位于该介电层两侧的该半导体衬底内，以分别作为源极及漏极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||