| 发明名称 | 镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法，该方法用ICP等离子体处理镁掺杂的氮化镓基材料或发光二极管P型氮化镓材料，其中，反应气氛为含氧元素的气体及含氧元素气体的混合气体，或上述气体与氮气、氦气或氩气的混合气体，等离子体的密度在10<sup>11</sup>cm<sup>-3</sup>-10<sup>12</sup>cm<sup>-3</sup>之间，然后，去除上述反应生成的氧化物，并对所述材料进行400-600℃高温退火。本发明得到了Mg掺杂GaN材料的高空穴浓度，提高了掺Mg的p-GaN的激活效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101471408A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710304457.1 | 申请日期 | 2007.12.28 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 陈志忠;齐胜利;于彤军;秦志新;张国义 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种镁掺杂氮化镓基材料的激活方法，其步骤包括：1)ICP等离子体处理镁掺杂的氮化镓基材料，其中，反应气氛为含氧元素的气体及含氧元素气体的混合气体，或上述气体与氮气、氦气或氩气的混合气体，等离子体的密度在1011cm-3—1012cm-3之间；2)去除上述处理生成的氧化物；3)对镁掺杂的氮化镓基材料进行400-600℃高温退火。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||