发明名称 |
不锈钢基底上沉积类金刚石碳薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了在不锈钢基底上直接沉积类金刚石碳薄膜的制备方法。本发明利用等离子体增强化学气相沉积技术,以不锈钢为基底材料,利用甲烷和氢气作为气源,在脉冲负偏压的作用下在基底上直接沉积类金刚石碳薄膜。其特点是:设备简单,沉积温度低,成膜均匀,薄膜和基底之间没有添加过渡层,并且薄膜和基底结合良好,薄膜具有优良的摩擦磨损特性。用这种方法制得的薄膜在各种需要减磨抗磨的环境中具有潜在的应用前景。 |
申请公布号 |
CN101469408A |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200710308579.8 |
申请日期 |
2007.12.25 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
张俊彦;王舟;王成兵;王琦 |
分类号 |
C23C16/27(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/27(2006.01)I |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
1、一种不锈钢基底上沉积类金刚石碳薄膜的方法,采用等离子体增强化学气相沉积技术;其特征在于包括以下步骤:(1)将预先清洁后的不锈钢片放入丙酮、乙醇中超声清洗,然后转移至真空腔,放置在下部的基底盘上,基底盘和负偏压电源相连;(2)抽真空直到腔内真空度小于2.0×10-3Pa;(3)通入氩气(20sccm),在脉冲偏压800伏特,导通比0.6的条件下进行等离子体清洗30分钟,用以除去表面残留的杂质和污染物;(4)通入甲烷(10. 3sccm)和氢气(20sccm),在脉冲偏压1000伏特、沉积气压13帕、导通比0.6的条件下镀膜。 |
地址 |
730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |