| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以实现使电子的迁移率提高的SBSI器件的半导体装置的制造方法。其包括：在Si基板(1)上形成SiGe层的工序、在SiGe层上形成Si层(5)的工序、对Si层(5)以及SiGe层进行蚀刻而形成贯通Si层(5)以及SiGe层的支承体孔(h)的工序、在支承体孔(h)上形成支承体(11)的工序、对Si层(5)进行蚀刻而形成使SiGe层露出的沟槽(纸面的前侧和后侧)的工序、通过借助所述沟槽对SiGe层进行蚀刻而在Si层(5)和Si基板(1)之间形成空洞部(21)的工序、在空洞部(21)形成a-Si膜(25)的工序、和对a-Si膜(25)进行热氧化形成SiO<sub>2</sub>膜(27)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101471249A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810190204.0 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 松泽勇介 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成第二半导体层的工序；对所述第二半导体层以及所述第一半导体层进行蚀刻，从而形成贯通所述第二半导体层以及所述第一半导体层的第一沟槽的工序；在所述第一沟槽内形成支承体的工序；对所述第二半导体层进行蚀刻，从而形成使所述第一半导体层露出的第二沟槽的工序；通过借助所述第二沟槽对所述第一半导体层进行蚀刻，从而在所述第二半导体层和所述半导体基板之间形成空洞部的工序；在所述空洞部内形成半导体膜的工序；和对所述半导体膜进行热氧化的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||