| 发明名称 | 一种制备稀磁半导体薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获得了具有较好的磁学性能和半导体性能的稀磁半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101471244A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710304215.2 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;姜丽娟;刘超;肖红领;冉军学;王梅 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;H01F41/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种制备稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||