| 发明名称 | 一种氟硼酸钙非线性光学晶体的助熔剂生长方法 | ||
| 摘要 | 一种氟硼酸钙非线性光学晶体的制法：将氟硼酸钙与助熔剂混合，以20-100℃/小时速率加热至900-1170℃，恒温5-50小时，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含氟硼酸钙与助熔剂的混合熔体；所述氟硼酸钙与助熔剂的质量份配比＝1∶0.1-1，助熔剂为LiF-CaO-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>体系，其中LiF∶CaO∶B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的摩尔比为1-0.5∶0-0.37∶0-0.2；把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤制备的混合熔体中，降温到饱和温度，同时以5-50转/分的旋转速率旋转籽晶杆，然后以0.2-3℃/天的速率缓慢降温，将得到的晶体提离液面，以5-100℃/小时的速率降至室温，得到氟硼酸钙非线性光学晶体。该方法操作简单，生长速度快，晶体易长大，成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN100507093C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200610089011.7 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 吴以成;陈国军;傅佩珍 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1. 一种Ca5B3O9F非线性光学晶体的助熔剂生长方法，其步骤如下：(1)将Ca5B3O9F化合物与助熔剂按比例混匀，以20-100℃/小时的升温速率将其加热至900℃-1170℃，恒温5-50小时，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含氟硼酸钙与助熔剂的混合熔体；所述助熔剂为LiF—CaO—B2O3体系助熔剂；所述Ca5B3O9F化合物与LiF—CaO—B2O3体系助熔剂混配的质量份配比为1∶0.1-1；其中LiF—CaO—B2O3体系助熔剂中三种物质的摩尔比为LiF∶CaO∶B2O3＝1—0.5∶0—0.37∶0—0.2；(2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的混合熔体中，降温到饱和温度，同时以5-50转/分的旋转速率旋转籽晶杆，然后以0.2-3℃/天的速率缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，以5-100℃/小时的速率降至室温，得到Ca5B3O9F非线性光学晶体。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北一条2号 | ||