发明名称 透明导电膜之形成方法
摘要 本发明之透明导电膜之形成方法,系于具备透明导电膜之形成材料之标靶施加溅射电压,且于上述标靶之表面产生水平磁场进行溅射,于基板上形成以ZnO为基本构成元素之透明导电膜,且,系于上述溅射电压为340 V以下进行上述溅射。
申请公布号 TW200927970 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097132235 申请日期 2008.08.22
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 高桥明久;石桥晓;杉浦功;高泽悟
分类号 C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/35(2006.01);H01B5/14(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本