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发明名称
透明导电膜之形成方法
摘要
本发明之透明导电膜之形成方法,系于具备透明导电膜之形成材料之标靶施加溅射电压,且于上述标靶之表面产生水平磁场进行溅射,于基板上形成以ZnO为基本构成元素之透明导电膜,且,系于上述溅射电压为340 V以下进行上述溅射。
申请公布号
TW200927970
申请公布日期
2009.07.01
申请号
TW097132235
申请日期
2008.08.22
申请人
爱发科股份有限公司
发明人
高桥明久;石桥晓;杉浦功;高泽悟
分类号
C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/35(2006.01);H01B5/14(2006.01)
主分类号
C23C14/34(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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