发明名称 |
生产半导体装置的方法,固态摄像装置,生产电设备的方法及电设备 |
摘要 |
本案提供一种生产半导体装置的方法。该方法包含步骤:在基材上,形成具有开口的第一硬遮罩;在该第一硬遮罩的开口的侧面上,形成一牺牲膜;在具牺牲膜的该开口中,形成第二硬遮罩于该侧面上;在形成第二硬遮罩后,移除该牺牲膜;经由该第一及第二硬遮罩,离子布植第二导电类型杂质。 |
申请公布号 |
TW200929341 |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
TW097131432 |
申请日期 |
2008.08.18 |
申请人 |
新力股份有限公司 |
发明人 |
三好康史 |
分类号 |
H01L21/266(2006.01);H01L27/148(2006.01);H01L31/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/266(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |