发明名称 生产半导体装置的方法,固态摄像装置,生产电设备的方法及电设备
摘要 本案提供一种生产半导体装置的方法。该方法包含步骤:在基材上,形成具有开口的第一硬遮罩;在该第一硬遮罩的开口的侧面上,形成一牺牲膜;在具牺牲膜的该开口中,形成第二硬遮罩于该侧面上;在形成第二硬遮罩后,移除该牺牲膜;经由该第一及第二硬遮罩,离子布植第二导电类型杂质。
申请公布号 TW200929341 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097131432 申请日期 2008.08.18
申请人 新力股份有限公司 发明人 三好康史
分类号 H01L21/266(2006.01);H01L27/148(2006.01);H01L31/10(2006.01) 主分类号 H01L21/266(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本