| 摘要 |
一种横向双扩散金属氧化半导体电晶体及其制造方法，横向双扩散金属氧化半导体电晶体包括有一第一传导型半导体基板、一浅沟渠绝缘薄膜，于第一传导型半导体基板内定义出一活性区域、一第二传导型主体区，设置于第一传导型半导体基板之顶部的一部份上、一第一传导型源极区，设置于第二传导型主体区之顶部上、一第一传导型延伸汲极区，设置于第一传导型半导体基板之顶部的一部份上，且与第二传导型主体区保持一距离、一闸极介电薄膜，覆盖于第二传导型主体区、第一传导型源极区以及第一传导型半导体基板之顶部的一部份之表面、以及一闸极导电薄膜，自第一传导型源极区延伸，且覆盖闸极介电薄膜及浅沟渠绝缘薄膜，并设置于浅沟渠绝缘薄膜之内部。因此，本发明系藉由浅沟渠绝缘结构在接通状态下，以防止电流流动受到干扰，使浅沟渠绝缘结构的通态电阻特性可以获得改善。 |
