发明名称 | 快闪存储器的制作方法 | ||
摘要 | 一种快闪存储器的制作方法,此方法是先提供基底,此基底上已形成有多个隔离结构,且隔离结构之间的基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极。移除部分隔离结构,使隔离结构的表面等于或低于基底的表面,而形成沟槽。在基底上形成衬层。在沟槽中形成材料层,材料层的表面高于穿隧介电层的表面。以材料层为掩模,移除部分衬层而至少在穿隧介电层的侧壁上形成间隙壁。移除材料层,并在基底上形成栅间介电层。在栅间介电层上形成导体层。 | ||
申请公布号 | CN100508168C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | CN200610108225.4 | 申请日期 | 2006.08.01 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 魏鸿基;毕嘉慧;朱建隆;塚本惠介 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1. 一种快闪存储器的制作方法,包括:提供基底,该基底上已形成有多个隔离结构,且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极;移除部分该隔离结构,使该隔离结构的表面等于或低于该基底的表面,而形成沟槽;在该基底上形成衬层;在该沟槽中形成材料层,该材料层的表面高于该穿隧介电层的表面;以该材料层为掩模,移除部分该衬层而至少在该穿隧介电层的侧壁上形成间隙壁;移除该材料层;在该基底上形成栅间介电层;并且在该栅间介电层上形成导体层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |