半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及一种具有最小化的导通电阻的半导体器件。根据本发明实施例，半导体器件可以包括下列中的至少一个：形成于半导体衬底上/或上方的第一导电型阱；形成于第一导电型阱内的第二导电型本体区；形成于本体区的表面上和/或上方的第一导电型源区；形成于第一导电型阱的表面上和/或上方的第一导电型漏区。此外，根据本发明实施例，半导体器件可以包括布置在第一导电型源区和第一导电型漏区之间的场绝缘层以及形成于场绝缘层上和/或上方的栅电极。可以在比漏区低的位置处形成源区。

主权项

1. 一种器件，包括：第一导电型阱，形成于半导体衬底上方；第二导电型本体区，形成于所述第一导电型阱内；第一导电型源区，形成于所述第二导电型本体区的表面上方；第一导电型漏区，形成于所述第一导电型阱的表面上方；以及场绝缘层，形成于所述第一导电型源区和所述第一导电型漏区之间，其中，所述第一导电型源区形成在比所述第一导电型漏区的位置低的位置。