| 发明名称 | 提高无掩模光刻的分辨率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高无掩模光刻的分辨率的方法，用于以一聚焦元件阵列聚焦一图案化的光束阵列，而在被曝光元件上形成由多个二维分布为h(x，y)的光斑组成的光刻图案，其中，该方法是使该被曝光元件与该聚焦元件阵列之间沿第一方向和第二方向相对步进移动，依次曝光形成多组像素，其中每次移动的步长小于各聚焦元件所形成的光斑的直径，以使各像素点上由一个以上的光斑相互重叠而形成的光强分布中，光强大于一曝光临界值的曝光像素图案形成一个所述的像素。由此可以在聚焦元件分辨率受限时获得更高的光刻分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN101470354A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710173369.2 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 上海科学院;上海微波设备研究所;阮巍 | 发明人 | 阮巍 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈 亮 |
| 主权项 | 1. 一种提高无掩模光刻的分辨率的方法，用于以一聚焦元件阵列聚焦一图案化的光束阵列，而在被曝光元件上形成由多个二维分布为h(x，y)的光斑组成的光刻图案，其特征在于，该方法包括：使该被曝光元件与该聚焦元件阵列之间沿第一方向和第二方向相对步进移动，依次曝光形成多组像素，其中每次移动的步长小于各聚焦元件所形成的光斑的直径，以使各像素点上由一个以上的光斑相互重叠而形成的光强分布中，光强大于一曝光临界值的曝光像素图案形成一个所述的像素。 | ||
| 地址 | 200235上海市钦州路100号5楼 | ||