| 摘要 |
本发明系有关一种静态记忆体（SRAM）类型之记忆体点。该记忆体点惯常包含以头尾相连的方式被安装在两个节点（N及NB）之间的两个反相器（INV,INVB），且包含于写入阶段中可被导通并被连结于一第一节点（N）与将被写入的资料的一线（DL,DLW）之间的至少一存取电晶体（TS），该记忆体点之特征在于：该记忆体点包含被以串联方式插入一第一反相器（INVB）的输出与该第一节点（N）之间的一隔离电晶体（TAB），该隔离电晶体（TAB）于写入阶段开始时被一隔离信号控制。当该记忆体点之状态必须被反相时，将减少电流消耗。本发明适用于一列中有许多像素之影像感测器。 |
