半导体装置之图案化结构与方法

摘要

本发明揭露一种在目标薄层上形成图案层之方法。该方法利用崭新的低温间隙壁（spacer）结构，相较之下，此种图案层之图案间距可小于传统使用微影方法之图案化之图案间距。较小的图案间距可将目标层分割为复数个间距微小的区域，换句话说即是提供较高的密度，并且可以降低元件尺寸。该结构与方法可应用于图案化记忆装置之一字元线层的制程。