半导体装置及其制造方法

摘要

于包含浅沟渠元件分离区、多层构造之层间绝缘膜的半导体装置之制程中，必需反复采用CMP；但由于CMP本身成本高，因此反复采用CMP系制造成本提高之一因。作为使用于浅沟渠(ST)元件分离区之绝缘膜及/或最下层之层间绝缘膜，使用能以旋转涂布法涂布之绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH#sB!3#eB!)#sB!n#eB!SiO#sB!2-n/2#eB!)#sB!x#eB!(SiO#sB!2#eB!)#sB!1-x#eB!(其中，n=1～3，0≦x≦1.0)表示之组成，并藉由选择热处理条件，而形成比介电常数k不同的膜。又，藉由将绝缘性涂布膜完全重组为SiO#sB!2#eB!膜，能形成STI元件分离区；且藉由使该绝缘性涂布膜成为未完全重组之状态，能形成比介电常数k为小的层间绝缘膜。