发明名称 |
高纯度镧、高纯度镧所构成之溅镀靶及高纯度镧作为主成分之金属闸膜 |
摘要 |
一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下;以及一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下,并且氧含量在1500wtppm以下,硷金属及硷土金属之各元素的含量分别在1wtppm以下,除上述以外之过渡金属及高熔点金属之各元素的含量分别在10wtppm以下,放射性元素的含量分别在10wtppb以下。本发明之课题,在于提供一种可有效率且稳定地提供高纯度镧、高纯度材料镧所构成之溅镀靶、及高纯度材料镧作为主成分之金属闸用薄膜的技术。 |
申请公布号 |
TW200927948 |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
TW097142478 |
申请日期 |
2008.11.04 |
申请人 |
日金属股份有限公司 NIPPON MINING & |
发明人 |
高雅博;新藤裕一朗;加纳学 |
分类号 |
C22B59/00(2006.01);C22C28/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L29/43(2006.01) |
主分类号 |
C22B59/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒;阎启泰 |
主权项 |
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地址 |
日本 |