发明名称 高纯度镧、高纯度镧所构成之溅镀靶及高纯度镧作为主成分之金属闸膜
摘要 一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下;以及一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下,并且氧含量在1500wtppm以下,硷金属及硷土金属之各元素的含量分别在1wtppm以下,除上述以外之过渡金属及高熔点金属之各元素的含量分别在10wtppm以下,放射性元素的含量分别在10wtppb以下。本发明之课题,在于提供一种可有效率且稳定地提供高纯度镧、高纯度材料镧所构成之溅镀靶、及高纯度材料镧作为主成分之金属闸用薄膜的技术。
申请公布号 TW200927948 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097142478 申请日期 2008.11.04
申请人 日金属股份有限公司 NIPPON MINING & 发明人 高雅博;新藤裕一朗;加纳学
分类号 C22B59/00(2006.01);C22C28/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L29/43(2006.01) 主分类号 C22B59/00(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 日本