相位变化记忆体结构

摘要

本发明提供一种相位变化记忆单元，其具有一第一电极(1301)、复数个柱(301)及一第二电极。该复数个柱系被电力耦合于该第一电极。该等柱之每一者包含一相位变化材料部分(303)及一加热器材料部分(305)。该第二电极系被电力耦合至该等柱之每一者。在一些实例中，该等柱具有一小于20奈米之厚度。