| 发明名称 | 非易失性半导体存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性半导体存储器，可以实现高速写入以及高速擦除。具备：半导体基板(1)；以及存储单元，该存储单元具有：在半导体基板中间隔开地形成的源区(2a)以及漏区(2b)；形成在成为源区与漏区之间的沟道区(3)的半导体基板上的隧道绝缘膜(6)；形成在隧道绝缘膜上的电荷积累膜(7)；形成在电荷积累膜上的电荷阻挡膜(8)；以及形成在电荷阻挡膜上的控制电极(10)，控制电极包括添加了从包括V、Cr、Mn、以及Tc的第一组中选择的至少一种元素并且添加了从包括F、H以及Ta的第二组中选择的至少一种元素的Hf氧化膜或Zr氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101471385A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810190694.4 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 清水达雄;村冈浩一 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭 放 |
| 主权项 | 1. 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：半导体基板；以及存储单元，该存储单元具有：在上述半导体基板中间隔开地形成的源区以及漏区；形成在成为上述源区与上述漏区之间的沟道区的半导体基板上的隧道绝缘膜；形成在上述隧道绝缘膜上的电荷积累膜；形成在上述电荷积累膜上的电荷阻挡膜；以及形成在上述电荷阻挡膜上的控制电极，上述控制电极包括添加了从包括V、Cr、Mn、以及Tc的第一组中选择的至少一种元素并且添加了从包括F、H以及Ta的第二组中选择的至少一种元素的Hf氧化膜或Zr氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||