| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：位于半导体衬底上的栅极，位于所述栅极下的第一和第二p型掺杂区域，邻近所述第一p型掺杂区域的第三p型掺杂区域，以及邻近所述第三p型掺杂区域的第四p型掺杂区域。在所述半导体衬底中设置n型掺杂区域，以使至少部分所述n型掺杂区域布置在所述第一、第三以及第四p型掺杂区域之下。邻近所述第二p型掺杂区域设置浮置扩散区。利用本发明，可阻止沟道区的电子向光电二极管回流，从而能够降低噪音以及减少图像延迟。 | ||
| 申请公布号 | CN101471360A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810185920.X | 申请日期 | 2008.12.16 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金钟玟 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1. 一种图像传感器，包括：栅极，位于半导体衬底上；第一p型掺杂区域，位于所述栅极下；第二p型掺杂区域，位于所述栅极下并且邻近所述第一p型掺杂区域；第三p型掺杂区域，邻近所述第一p型掺杂区域并且位于所述第二p型掺杂区域的相对侧；第四p型掺杂区域，邻近所述第三p型掺杂区域；n型掺杂区域，布置在所述半导体衬底中，使得至少部分所述n型掺杂区域位于所述第一p型掺杂区域、第三p型掺杂区域和第四p型掺杂区域之下；以及浮置扩散区，位于所述栅极的一侧，并且与所述第二p型掺杂区域相接触。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||