横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管可以包括第一导电型半导体衬底以及在衬底中限定有源区的浅沟槽隔离膜。可以在半导体衬底的部分顶部上方布置第二导电型本体区。可以在本体区的顶部中布置第一导电型源极区。可以在半导体衬底的部分顶部上方布置第一导电型扩展漏极区，并且该第一导电型扩展漏极区与本体区相隔离。栅极介电膜覆盖第二导电型本体区和第一导电型源极区两者的表面以及覆盖第一导电型半导体衬底的部分顶部表面。栅极导电膜可以从第一导电型源极区开始延伸、延伸在栅极介电膜上方、延伸在浅沟槽隔离膜上方，以及在浅沟槽隔离膜的内部延伸。因此，本发明实施例防止了在导通状态下电流流动受到STI干扰，这样可以获得提高的导通电阻特性。

主权项

1. 一种装置，包括：第一导电型半导体衬底；浅沟槽隔离膜，在所述衬底中限定有源区；第二导电型本体区，布置在所述半导体衬底的部分顶部上方；第一导电型源极区，布置在所述本体区的顶部中；第一导电型扩展漏极区，布置在所述半导体衬底的部分顶部上方，并且所述第一导电型扩展漏极区与所述本体区相隔离；栅极介电膜，覆盖所述第二导电型本体区和所述第一导电型源极区两者的表面以及覆盖所述第一导电型半导体衬底的部分顶部表面；以及栅极导电膜，从所述第一导电型源极区开始延伸、延伸在所述栅极介电膜上方、延伸在所述浅沟槽隔离膜上方，以及在所述浅沟槽隔离膜的内部延伸。