具有优化的可制造性的垂直功率器件的高压结构及方法

摘要

本发明公开了一种设置于半导体衬底上的半导体功率器件，半导体衬底支持一外延层作为具有外延层的漂移区域。该半导体功率器件还包括一超结结构，包括设置于多个外延层中的数个掺杂侧壁柱。外延层具有多个开设的沟槽，并由多个具有掺杂柱的外延层填充，掺杂柱沿设置于多个外延层中的沟槽的侧壁设置。本发明的优点在于提供了一种新的优化的器件结构及制造方法，利用简单及方便的制造步骤从而在漂移区域中形成用于电荷平衡的掺杂柱。这就不需要回蚀刻或化学机械抛光，从而减少了制造步骤，该器件可以通过标准过程，使用标准的制造模块及设备方便地制造。

主权项

1、一种制造在半导体衬底上的半导体功率器件的方法，半导体衬底支持一漂移区域，该漂移区域包括设置在其上的一外延层，其特征在于，所述的方法包括：在所述的漂移区域中开设数个下部沟槽，然后掺杂所述下部沟槽的侧壁以形成数个沿所述下部沟槽的侧壁设置的下部掺杂侧壁柱；以及在所述的漂移区域的顶部形成第一外延层，以填充至少部分的所述下部沟槽，然后开设数个实质上位于每一个所述下部沟槽顶部的上部沟槽，并掺杂所述上部沟槽的侧壁，以形成上部掺杂侧壁柱；以及使用位于所述第一外延层顶部的第二外延层填充及覆盖所述的上部沟槽，然后应用功率器件制造步骤延伸及连接所述的下部和上部掺杂侧壁柱，以在所述半导体衬底内形成数个组合掺杂侧壁柱。